型 號80*140
更新時(shí)間2024-04-18
所屬分類(lèi)塑料浮標
報價(jià)1230
單點(diǎn)拋錨浮標警示船只浮體
浮體應(英語(yǔ):Floating body effect)是在SOI技術(shù)中實(shí)現的晶體管與體勢(body potential)相關(guān)的應。晶體管在緣體層上形成個(gè)電容。這個(gè)電容上聚集的電荷可能會(huì )產(chǎn)生負面應,例如,開(kāi)啟結構上的寄生晶體管和關(guān)態(tài)泄漏電流(off-state leakages),造成高的電流消耗,以動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器丟失信息。它也造成歷史應(英語(yǔ):history effect),即晶體管與之前狀態(tài)閾值電壓有關(guān)的應。在模擬電路器件中,浮體應被稱(chēng)作扭結應(英語(yǔ):Kink effect)。
單點(diǎn)拋錨浮標警示船只浮體
動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來(lái)代表個(gè)二進(jìn)制比(bit)是1還是0。由于在現實(shí)中晶體管會(huì )有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對于DRAM來(lái)說(shuō),周期性地充電是個(gè)可避的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的性,因此被稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”存儲器。相對來(lái)說(shuō),靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數據后,縱使不刷新也不會(huì )丟失記憶。
與SRAM相比,DRAM的勢在于結構簡(jiǎn)單——每個(gè)比的數據都只需個(gè)電容跟個(gè)晶體管來(lái)理,相比之下在SRAM上個(gè)比通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故,DRAM擁有高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪(fǎng)問(wèn)速度較慢,耗電量較的缺點(diǎn)。
門(mén)前左右角樓為鳴金、奏樂(lè )和瞭望,東西兩側是轅門(mén)。整個(gè)建筑飛檐畫(huà)棟,雄偉壯觀(guān)。其興建于1888年(光緒十四年)。占地面積近1萬(wàn)平方米,"傍海修筑,高距危巖,下臨地,飛甍廣廈,輪奐美焉"。其平面呈長(cháng)方,主體建筑分前后三棟,三進(jìn)院落。
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